Sonda Pogo de Ouro Banhado

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Dada a natureza física diferente da estrutura, você verá diferentes modos de falha. Mas em geral, o teste é abstraído dos transistores individuais, então eu não sei se você vai ver uma grande diferença. Sempre que a indústria passa por uma dessas principais mudanças arquitetônicas, você normalmente vê um aumento na intensidade do teste. Eles têm que descobrir quais são os modos de falha associados a esta nova estrutura transistor, e a arquitetura física geral. Vimos parte disso nos primeiros nós finFET, seja 22nm no espaço do microprocessador ou 14/16nm no espaço da fundição.

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Um bom exemplo disso são as especificações de entrega de energia e/ou impedância de energia no cartão de sonda. Se você está tentando entregar toda essa energia no chip a partir da instrumentação de teste, o caminho através do qual você faz isso se torna muito mais importante e as especificações precisam ser muito mais apertadas. Cinco anos atrás, o desempenho de entrega de energia do cartão de sonda não era grande coisa. Agora é uma grande consideração de design, e é uma das razões pelas quais acabamos trabalhando tão de perto com clientes fabless. Eles entendem as diferentes tolerâncias e especificações que cada uma dessas fontes de alimentação terá. Alguns são um pouco mais soltos, outros precisam ser extremamente apertados. À medida que você projeta a placa de teste específica para cada design, isso se torna uma das principais preocupações de desempenho.

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Quase tudo o que fazemos é morrer nu ou bolacha cheia, então o pacote acaba sendo um pedaço a jusante disso. Mas você vê muitas das mesmas implicações associadas à entrega de energia que acabam sendo restrições no design do pacote. Historicamente, substratos embalados eram estruturas bastante simples - um par de camadas de metal, não muitos requisitos de design realmente rigorosos. Isso mudou. Agora estamos vendo substratos de embalagens muito mais complicados com mais camadas. Através de densidades estão subindo muito. Você precisa gerenciar e adaptar o desempenho da fonte de alimentação. Isso está se tornando um grande negócio - não apenas para testes no nível de wafer com um cartão de sonda, mas também no pacote final.

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Você está testando para ter certeza de que cada um desses componentes morrer é funcionalmente bom, ou bom o suficiente para ser reparado no pacote final. E como eles estão sendo fabricados em nós bastante avançados - pelo menos 1x ou 1y nanômetros de nós DRAM, os rendimentos não são grandes. E por isso é uma simples caracterização funcional de garantir que o dado que vai para a pilha é o mais perto do bem que eles podem obter. Estou relutante em usar o termo "conhecido bom morrer" porque transmite a noção de uma coisa perfeita, e nada na indústria de semicondutores é perfeito. Há um equilíbrio de custo versus o risco com o que as pessoas jogam constantemente, e para o DRAM há algum nível de reparabilidade e redundância. Então você vê todos esses botões diferentes sendo exercitados. Mas o HBM, com certeza, impactou não apenas os volumes do nosso negócio de cartões de teste DRAM, mas também os requisitos de especificação à medida que eles continuam a apertá-los.

Para o aspecto de confiabilidade de alguns desses dispositivos mais novos, as pessoas ainda estão descobrindo isso. Mas há coisas análogas ao burn-in e testes acelerados, seja através de testes de temperatura ou vibração. Eles estão descobrindo diferentes maneiras de acelerar os modos de falha mais prováveis no campo ou coisas com as quais as pessoas estão preocupadas. Já tive conversas com vários clientes, mas neste momento fazendo backup dos testes funcionais completos para esses dispositivos, tanto elétricos quanto ópticos, é onde estamos focados neste ponto.

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